英偉達批準三星 HBM3E 芯片用于人工智能,SK 海力士仍保持領(lǐng)先地位
IT之家 2 月 1 日消息,據(jù)彭博社報道,知情人士透露,三星電子公司已獲得批準向英偉達供應其高帶寬存儲芯片,這家韓國芯片制造商的 8 層 HBM3E 于 12 月獲批。
雖然該批準標志著三星向前邁進了一步,但它在高帶寬內(nèi)存(HBM)技術(shù)方面仍然落后于 SK 海力士和美光科技等競爭對手。SK 海力士仍然是英偉達最先進的 AI 芯片的獨家供應商,尤其是即將推出的 Blackwell 系列中采用 12 層 HBM3E 芯片的芯片。
IT之家注意到,去年 12 月有報道稱,三星電子由于 8 層、12 層堆疊 HBM3E 內(nèi)存樣品性能未達英偉達要求,難以在年內(nèi)(2024 年)正式啟動向這家大客戶的供應,實際供貨將落到 2025 年。
據(jù)悉,三星電子早在 2023 年 10 月就開始向英偉達供應 HBM3E 內(nèi)存的質(zhì)量測試樣品,但此前一年多的時間內(nèi)三星 HBM3E 的認證流程并未取得明顯進展。
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